FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK12E60W,S1VX
Модель：
TK12E60W,S1VX
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N CH 600V 11.5A TO-220
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет/кейс TO-220-3
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 V
- Пакет устройств поставщика TO-220
- Рассеиваемая мощность (макс.) 110W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 25 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11.5A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 890 pF @ 300 V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.7V @ 600µA
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 300mOhm @ 5.8A, 10V
