FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK35N65W,S1F
Модель：
TK35N65W,S1F
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Инкапсуляция：
Tube
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 35A (Ta)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- ВГС (Макс) ±30V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 V
- Пакет/кейс TO-247-3
- Рассеиваемая мощность (макс.) 270W (Tc)
- Пакет устройств поставщика TO-247
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 100 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4100 pF @ 300 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 80mOhm @ 17.5A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 2.1mA
