FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK55D10J1(Q)
Модель：
TK55D10J1(Q)
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 100V 55A TO220
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
-
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Пакет/кейс TO-220-3
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 110 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 140W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 1mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5700 pF @ 10 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 10.5mOhm @ 27A, 10V
- Пакет устройств поставщика TO-220(W)
