FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK55S10N1,LQ
Модель：
TK55S10N1,LQ
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 100V 55A DPAK
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- Рабочая Температура 175°C (TJ)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 500µA
- Пакет устройств поставщика DPAK+
- Рассеиваемая мощность (макс.) 157W (Tc)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 49 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 55A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 27.5A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3280 pF @ 10 V
