FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TK65G10N1,RQ
Модель：
TK65G10N1,RQ
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет/кейс TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Пакет устройств поставщика D2PAK
- Рассеиваемая мощность (макс.) 156W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 1mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 65A (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 81 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 5400 pF @ 50 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 32.5A, 10V
