TK7S10N1Z,LQ

TK7S10N1Z,LQ

Модель: TK7S10N1Z,LQ
Описание: MOSFET N-CH 100V 7A DPAK
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±20V
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • Пакет/кейс TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tc)
  • Рабочая Температура 175°C (TJ)
  • Пакет устройств поставщика DPAK+
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 470 pF @ 10 V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 100µA
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7A (Ta)
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7.1 nC @ 10 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 48mOhm @ 3.5A, 10V