TK9A90E,S4X

TK9A90E,S4X

Модель: TK9A90E,S4X
Описание: MOSFET N-CH 900V 9A TO220SIS
Инкапсуляция: Tube
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Through Hole
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Тип полевого транзистора N-Channel
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
  • ВГС (Макс) ±30V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 50W (Tc)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9A (Ta)
  • Пакет/кейс TO-220-3 Full Pack
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 46 nC @ 10 V
  • Пакет устройств поставщика TO-220SIS
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 900 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2000 pF @ 25 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 1.3Ohm @ 4.5A, 10V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 900µA