FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TN0110N3-G-P002
Модель：
TN0110N3-G-P002
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Through Hole
- Пакет устройств поставщика TO-92-3
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 3Ohm @ 500mA, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1W (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2V @ 500µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 60 pF @ 25 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 350mA (Tj)
