TPCF8B01(TE85L,F,M

TPCF8B01(TE85L,F,M

Модель: TPCF8B01(TE85L,F,M
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.7A VS-8
Инкапсуляция: -
Статус ROHS: -
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • ВГС (Макс) ±8V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.8V, 4.5V
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.7A (Ta)
  • Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 470 pF @ 10 V
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 330mW (Ta)
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1.2V @ 200µA
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6 nC @ 5 V
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 110mOhm @ 1.4A, 4.5V
  • Пакет устройств поставщика VS-8 (2.9x1.5)