FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TPN1110ENH,L1Q
Модель：
TPN1110ENH,L1Q
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 7.2A (Ta)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 200 V
- Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.1x3.1)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 200µA
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 7 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 600 pF @ 100 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 39W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 114mOhm @ 3.6A, 10V
