FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TPN2R503NC,L1Q
Модель：
TPN2R503NC,L1Q
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 2.5mOhm @ 20A, 10V
- Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.1x3.1)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 40 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 40A (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.3V @ 500µA
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2230 pF @ 15 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 35W (Tc)
