FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TPN7R506NH,L1Q
Модель：
TPN7R506NH,L1Q
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 26A 8TSON
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Материалы
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Рабочая Температура 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- ВГС (Макс) ±20V
- Пакет/кейс 8-PowerVDFN
- Пакет устройств поставщика 8-TSON Advance (3.1x3.1)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 22 nC @ 10 V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1800 pF @ 30 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 26A (Tc)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 200µA
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 6.5V, 10V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 700mW (Ta), 42W (Tc)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 7.5mOhm @ 13A, 10V
