FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
TPS1100DR
Модель：
TPS1100DR
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Бренд：
Texas Instruments
Описание：
MOSFET P-CH 15V 1.6A 8SOIC
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет устройств поставщика 8-SOIC
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Рабочая Температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1.5V @ 250µA
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 15 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.6A (Ta)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 2.7V, 10V
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 180mOhm @ 1.5A, 10V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 5.45 nC @ 10 V
- ВГС (Макс) +2V, -15V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 791mW (Ta)
