TT8U1TR

TT8U1TR

Модель: TT8U1TR
Бренд: ROHM Semiconductor
Описание: MOSFET P-CH 20V 2.4A 8TSST
Инкапсуляция: Tape & Reel (TR)
Статус ROHS: Да
Валюта: USD

Основные параметры

  • Тип монтажа Surface Mount
  • Рабочая Температура 150°C (TJ)
  • Пакет/кейс 8-SMD, Flat Lead
  • Технологии MOSFET (Metal Oxide)
  • ВГС (Макс) ±10V
  • Тип полевого транзистора P-Channel
  • Напряжение стока к источнику (Vdss) 20 V
  • Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 1.5V, 4.5V
  • Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 1mA
  • Рассеиваемая мощность (макс.) 1.25W (Ta)
  • Особенность полевого транзистора Schottky Diode (Isolated)
  • Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.4A (Ta)
  • Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 105mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6.7 nC @ 4.5 V
  • Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 850 pF @ 10 V
  • Пакет устройств поставщика 8-TSST