FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
VP3203N8-G
Модель：
VP3203N8-G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET P-CH 30V 1.1A TO243AA
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Пакет/кейс TO-243AA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.6W (Ta)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 300 pF @ 25 V
- Пакет устройств поставщика TO-243AA (SOT-89)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 600mOhm @ 1.5A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 3.5V @ 10mA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 1.1A (Tj)
