FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
VS-FB190SA10
Модель：
VS-FB190SA10
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 100V 190A SOT227
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Chassis Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс SOT-227-4, miniBLOC
- Пакет устройств поставщика SOT-227
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 250 nC @ 10 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 568W (Tc)
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 10700 pF @ 25 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 190A (Tj)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 6.5mOhm @ 180A, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4.35V @ 250µA
