FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
ZXMN10A25GTA
Модель：
ZXMN10A25GTA
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- ВГС (Макс) ±20V
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 10V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Vgs(th) (Макс) @ Id 4V @ 250µA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17 nC @ 10 V
- Пакет устройств поставщика SOT-223-3
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 2.9A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 125mOhm @ 2.9A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 859 pF @ 50 V
