FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
ZXMN6A25G
Модель：
ZXMN6A25G
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Инкапсуляция：
Tape & Reel (TR)
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Тип полевого транзистора N-Channel
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 V
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- Vgs(th) (Макс) @ Id 1V @ 250µA (Min)
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Пакет/кейс TO-261-4, TO-261AA
- Рассеиваемая мощность (макс.) 2W (Ta)
- Пакет устройств поставщика SOT-223-3
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 20.4 nC @ 10 V
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4.8A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 50mOhm @ 3.6A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1063 pF @ 30 V
