FQB27N25TM-F085
Sanyo Semiconductor/onsemi
Copyright@2026 All Rights Reserved
粤ICP备19162589号
Техническая поддержка Кластерные технологии
Sitemap
ZXMP3F35N8TA
Модель：
ZXMP3F35N8TA
Категории товаров：
Одиночные полевые транзисторы, МОП-транзисторы
Описание：
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO
Инкапсуляция：
-
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Основные параметры
- Тип монтажа Surface Mount
- Пакет/кейс 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
- Пакет устройств поставщика 8-SO
- Технологии MOSFET (Metal Oxide)
- Напряжение привода (макс. показания включены, мин. значения включены) 4.5V, 10V
- ВГС (Макс) ±20V
- Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
- Тип полевого транзистора P-Channel
- Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 V
- Рассеиваемая мощность (макс.) 1.56W (Ta)
- Vgs(th) (Макс) @ Id 2.6V @ 250µA
- Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 9.3A (Ta)
- Rds включен (макс.) @ Id, Vgs 12mOhm @ 12A, 10V
- Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4600 pF @ 15 V
- Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 77.1 nC @ 10 V
