БТИЗ-матрицы

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) — это высокоэффективные силовые полупроводниковые приборы с трёхконтактной схемой, обладающие быстрым переключением и в основном применяющиеся в качестве электронных ключей. Они используются в импульсных источниках питания для высокомощных применений, таких как частотные преобразователи (VFD), электромобили, поезда, пускорегулирующие аппараты для ламп и кондиционеры, а также в ключевых усилителях — в звуковых системах и промышленных системах управления. Массивы IGBT объединяют несколько устройств в одном корпусе, выполненных по полнозависимой или полувыключенной мостовой схеме.